MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4.6 A, TSOT, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 182-6878
- Nº ref. fabric.:
- DMC3071LVT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 182-6878
- Nº ref. fabric.:
- DMC3071LVT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSOT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 140mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Certificaciones y estándares | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Altura | 0.9mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSOT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 140mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Certificaciones y estándares UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Altura 0.9mm | ||
Longitud 3mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
Backlighting
DC-DC Converters
Power Management Functions
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