MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal DMC3060LVT-7, VDSS 30 V, ID 3.6 A, TSOT, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 206-0061
- Nº ref. fabric.:
- DMC3060LVT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- 206-0061
- Nº ref. fabric.:
- DMC3060LVT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSOT | |
| Serie | DMC3060 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Tensión directa Vf | 800mV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.16W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Anchura | 1.6mm | |
| Altura | 900μm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSOT | ||
Serie DMC3060 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Tensión directa Vf 800mV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.16W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Anchura 1.6mm | ||
Altura 900μm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET DiodesZetex 30V de modo de mejora de par complementario está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 12 V con disipación de potencia térmica de 0,83 W.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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