MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 4.6 A, TSOT-26, Mejora de 6 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2826
- Nº ref. fabric.:
- DMN2053UVTQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2826
- Nº ref. fabric.:
- DMN2053UVTQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Encapsulado | TSOT-26 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.035Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Encapsulado TSOT-26 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.035Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex de modo de mejora de canal N doble está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Fuga de entrada/salida baja
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