MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 3.4 A, TSOT, Mejora de 6 pines, 1, config. Doble

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Código RS:
206-0081
Nº ref. fabric.:
DMN3061SVT-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

DMN3061

Encapsulado

TSOT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

200mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.7V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.08W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.6 mm

Altura

0.9mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de modo de mejora de canal N doble DiodesZetex 30V está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 20 V con disipación de potencia térmica de 0,88 W.

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

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