MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal DMG6601LVT-7, VDSS 30 V, ID 4.5 A, TSOT, Mejora de 6 pines, 2,

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Código RS:
823-2915
Nº ref. fabric.:
DMG6601LVT-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSOT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Tensión directa Vf

0.75V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Anchura

1.6 mm

Altura

0.9mm

Longitud

2.9mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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