MOSFET Texas Instruments, Tipo N, Tipo N-Canal CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config.

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Código RS:
121-9764
Nº ref. fabric.:
CSD19536KCS
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

259A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

NexFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

118nC

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Anchura

4.7 mm

Altura

16.51mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de potencia NexFETTM de canal N, Texas Instruments


Transistores MOSFET, Texas Instruments


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