MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 6.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
122-1450
Nº ref. fabric.:
ZXMC3A16DN8TA
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

50mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.85V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Altura

1.5mm

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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