MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal ZXMC3A16DN8TA, VDSS 30 V, ID 6.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2,
- Código RS:
- 770-3393
- Nº ref. fabric.:
- ZXMC3A16DN8TA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 tira de 5 unidades)*
5,71 €
(exc. IVA)
6,91 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
- Disponible(s) 750 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,142 € | 5,71 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 770-3393
- Nº ref. fabric.:
- ZXMC3A16DN8TA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 50mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.85V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 50mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.85V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.5nC | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia DiodesZetex Tipo N-Canal ID 6.4 A Mejora de 8 pines config. Aislado
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET onsemi Tipo N-Canal ID 6.4 A Mejora de 8 pines config. Aislado
- MOSFET onsemi Tipo N-Canal FDS8958B ID 6.4 A Mejora de 8 pines config. Aislado
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOIC de 8 pines
