MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal ZXMHC6A07N8TC, VDSS 60 V, ID 1.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 4,

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Código RS:
751-5348
Nº ref. fabric.:
ZXMHC6A07N8TC
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

350mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.36W

Tensión directa Vf

0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Puente completo

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Certificaciones y estándares

UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Número de elementos por chip

4

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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