MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 1.8 A, Mejora de 8 pines, 4, config. Puente completo

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Código RS:
922-7888
Nº ref. fabric.:
ZXMHC6A07T8TA
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

425mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.85V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Puente completo

Certificaciones y estándares

J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Longitud

6.7mm

Anchura

3.7 mm

Altura

1.6mm

Número de elementos por chip

4

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE

Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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