MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal DMHC3025LSD-13, VDSS 30 V, ID 7.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 4, config. Puente
- Código RS:
- 823-3211
- Nº ref. fabric.:
- DMHC3025LSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
5,03 €
(exc. IVA)
6,09 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
- Disponible(s) 300 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 24.060 unidad(es) más para enviar a partir del 03 de febrero de 2026
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,503 € | 5,03 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 823-3211
- Nº ref. fabric.:
- DMHC3025LSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Configuración de transistor | Puente completo | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Anchura | 3.95 mm | |
| Certificaciones y estándares | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Longitud | 4.95mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Configuración de transistor Puente completo | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Anchura 3.95 mm | ||
Certificaciones y estándares UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Longitud 4.95mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET DiodesZetex Tipo N-Canal ID 7.8 A Mejora de 8 pines config. Puente completo
- MOSFET de potencia DiodesZetex Tipo P-Canal ID 1.8 A 4, config. Puente completo
- MOSFET de potencia DiodesZetex Tipo N-Canal ID 4.98 A Mejora de 8 pines config. Puente
- MOSFET de potencia DiodesZetex Tipo N-Canal ID 3.1 A 4, config. Puente completo
- MOSFET de potencia DiodesZetex Tipo P-Canal ID 1.8 A Mejora de 8 pines config. Puente
- MOSFET DiodesZetex Tipo N-Canal ID 850 mA Mejora de 8 pines config. Puente completo
- MOSFET DiodesZetex Tipo P-Canal DMC3028LSDX-13 ID 7.6 A Mejora de 8 pines config.
- MOSFET DiodesZetex Tipo P-Canal DMC3016LSD-13 ID 10.5 A Mejora de 8 pines config.
