MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 1.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 4, config. Puente
- Código RS:
- 169-0719
- Nº ref. fabric.:
- ZXMHC6A07N8TC
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1.150,00 €
(exc. IVA)
1.400,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
- Disponible(s) 5000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,46 € | 1.150,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 169-0719
- Nº ref. fabric.:
- ZXMHC6A07N8TC
- Fabricante:
- DiodesZetex
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 350mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.36W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Puente completo | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202 | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 350mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.36W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Puente completo | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202 | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia DiodesZetex Tipo P-Canal ZXMHC6A07N8TC ID 1.8 A Mejora de 8 pines
- MOSFET de potencia DiodesZetex Tipo P-Canal ID 1.8 A 4, config. Puente completo
- MOSFET de potencia DiodesZetex Tipo N-Canal ID 4.98 A Mejora de 8 pines config. Puente
- MOSFET DiodesZetex Tipo N-Canal DMHC3025LSD-13 ID 7.8 A Mejora de 8 pines config. Puente
- MOSFET DiodesZetex Tipo N-Canal ID 7.8 A Mejora de 8 pines config. Puente completo
- MOSFET DiodesZetex Tipo N-Canal ID 850 mA Mejora de 8 pines config. Puente completo
- MOSFET de potencia DiodesZetex Tipo P-Canal ZXMHC6A07T8TA ID 1.8 A 4, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex Tipo N-Canal ID 3.1 A 4, config. Puente completo