MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal ZXMP6A18DN8TA, VDSS 60 V, ID 4.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Código RS:
708-2554
Nº ref. fabric.:
ZXMP6A18DN8TA
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-0.85V

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Anchura

4 mm

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal P doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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