Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 8.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 751-4067P
Nº ref. fabric.:: DMC3021LSD-13
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 8.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 751-4067P
Nº ref. fabric.:: DMC3021LSD-13
Fabricante:: DiodesZetex

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	DiodesZetex
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	53mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.7V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	7.8nC
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Altura	1.5mm
	Longitud	4.95mm
	Certificaciones y estándares	AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	Anchura	3.95 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca DiodesZetex
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 53mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.7V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.8nC
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Configuración de transistor Aislado
	Altura 1.5mm
	Longitud 4.95mm
	Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	Anchura 3.95 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 8.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

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