MOSFET onsemi FDB3632, VDSS 100 V, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 124-1695
Nº ref. fabric.:: FDB3632
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDB3632, VDSS 100 V, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

588 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)

1,578 €

(exc. IVA)

1,909 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
800 +	1,578 €	1.262,40 €

*precio indicativo

Código RS:: 124-1695
Nº ref. fabric.:: FDB3632
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: DE

Datos del Producto

MOSFET de canal N para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	310 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	84 nC a 10 V
Longitud	10.67mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	9.65mm
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C