MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 127 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

1.788,00 €

(exc. IVA)

2.163,20 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 22 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
800 +2,235 €1.788,00 €

*precio indicativo

Código RS:
221-6703
Nº ref. fabric.:
NTBGS3D5N06C
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

127A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

NTBGS3D

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

115W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.7 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

15.7mm

Longitud

10.2mm

Estándar de automoción

No

El 60V de on Semiconductor de MOSFET de potencia utiliza 127A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Tiene menos ruido de conmutación/EMI y minimiza las pérdidas de conducción.

Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción

Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador

Enlaces relacionados