MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4310ZTRLPBF, VDSS 100 V, ID 127 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
915-5045
Nº ref. fabric.:
IRFS4310ZTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

127A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

120nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Anchura

11.3 mm

Altura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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