MOSFET onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 124-1745
- Nº ref. fabric.:
- BS170
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 124-1745
- Nº ref. fabric.:
- BS170
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 500 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.8V |
| Disipación de Potencia Máxima | 830 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 5.2mm |
| Ancho | 4.19mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 5.33mm |
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