MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RUM002N02T2L, VDSS 20 V, ID 200 mA, Mejora, ESM de 3 pines

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Código RS:
124-6839
Nº ref. fabric.:
RUM002N02T2L
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

RUM002N02

Encapsulado

ESM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

0.9 mm

Longitud

1.3mm

Altura

0.45mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal N, ROHM


Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


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