MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RUM002N05T2L, VDSS 50 V, ID 200 mA, Mejora, ESM de 3 pines

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Código RS:
124-6840
Nº ref. fabric.:
RUM002N05T2L
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Encapsulado

ESM

Serie

RUM002N05

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.2Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.5mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

1.2mm

Anchura

0.8 mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal N, ROHM


Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


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