MOSFET, N-Canal Infineon IRLB3036PBF, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
124-9025
Nº ref. fabric.:
IRLB3036PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

270A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

91nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Disipación de potencia máxima Pd

380W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.02mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 270 A - IRLB3036PBF


Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para conmutación de alta corriente y baja pérdida en entornos industriales. Se trata de un dispositivo de mejora de canal N alojado en un encapsulado TO-220 de orificio pasante, diseñado para aplicaciones que requieren una corriente de drenaje continua sustancial y una resistencia térmica robusta en un amplio rango ambiental.

Características y ventajas:


• Resistencia de conexión muy baja de 2 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Alta corriente de drenaje continua de 270 A para soportar cargas pesadas
• Disipación de potencia máxima de 380 W para conmutación de alta potencia
• Tensión nominal de drenaje-fuente de 60 V para sistemas de tensión moderada
• Carga de puerta típica de 91 nC que permite un comportamiento de conmutación predecible

Aplicaciones


• Apto para etapas de accionamiento de motores en equipos industriales
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores dc-dc
• Se utiliza con conmutación de alta corriente en la gestión de baterías
• Se puede utilizar para etapas de salida de inversor en sistemas de media tensión

¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse?


El dispositivo no debe superar ±16 V entre la puerta y la fuente para evitar la tensión por óxido de puerta.

¿Cómo afecta el rango térmico a la implementación?


Funciona entre –55 y 175 °C, lo que permite su uso en condiciones térmicas hostiles y escenarios de unión elevada.

¿Cuál es la característica de conducción directa cuando el diodo del cuerpo conduce?


La tensión directa suele ser de 1,3 V durante la conducción del diodo, lo que influye en los cálculos de pérdida en intervalos síncronos o de rueda libre.

¿Qué consideraciones de encapsulado y montaje se aplican a la disipación térmica?


Se suministra en un formato de orificio pasante TO-220 que facilita la fijación directa del disipador térmico para mejorar la gestión térmica.

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