MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
260-5868
Nº ref. fabric.:
IRFP3006PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

270A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.87mm

Altura

20.7mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 270 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V - IRFP3006PBF


Este MOSFET de alto rendimiento es un componente fundamental para las aplicaciones electrónicas modernas, diseñado pensando en una mayor eficiencia y fiabilidad. Las dimensiones de este encapsulado TO-247 incluyen una longitud de 15,87 mm, una anchura de 5,31 mm y una altura de 20,7 mm. Funciona eficazmente en diversos entornos y aporta un valor significativo en situaciones de gestión de la energía.

Características y ventajas


• Corriente de drenaje continua nominal de 270 A para requisitos exigentes

• fuente de drenaje de 60 V para un uso versátil

• Disipación de potencia máxima de 375 W para un rendimiento sólido

• Capacidad de avalancha mejorada para una mayor protección del sistema

• El montaje con orificios pasantes garantiza una instalación sólida y fiable

Aplicaciones


• Utilizado en sistemas de rectificación síncrona de alta eficiencia

• Ideal para sistemas de alimentación ininterrumpida para garantizar la fiabilidad

• Eficaz en la conmutación de potencia a alta velocidad

• Adecuado para circuitos de alta frecuencia y de conmutación dura

¿Qué rendimiento térmico cabe esperar en condiciones de funcionamiento continuo?


Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, soporta con fiabilidad elevadas cargas térmicas, mientras que la resistencia térmica de la unión a la carcasa favorece una disipación eficaz del calor.

¿Cómo contribuye la tensión umbral de puerta a su rendimiento en los circuitos?


Presenta una tensión umbral de puerta máxima de 4 V, lo que garantiza que las señales de control activen el MOSFET con eficacia, proporcionando sinergia con circuitos de control de menor tensión.

¿Qué implicaciones tiene la baja Rds(on) para la eficiencia del circuito?


Una baja resistencia de encendido de 2,5mΩ reduce significativamente las pérdidas de energía, mejorando la eficiencia general del circuito, especialmente en aplicaciones de alto consumo, lo que se traduce en una menor generación de calor y una mayor sostenibilidad del rendimiento.

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