MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP3006PBF, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 260-5869
- Número de artículo Distrelec:
- 302-84-049
- Nº ref. fabric.:
- IRFP3006PBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
2,53 €
(exc. IVA)
3,06 €
(inc.IVA)
Añade 34 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 93 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
- Disponible(s) 764 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,53 € |
| 10 - 24 | 2,46 € |
| 25 - 49 | 2,40 € |
| 50 - 99 | 2,34 € |
| 100 + | 2,28 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 260-5869
- Número de artículo Distrelec:
- 302-84-049
- Nº ref. fabric.:
- IRFP3006PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 270A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.31 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.7mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 270A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.31 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.7mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 270 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V - IRFP3006PBF
Este MOSFET de alto rendimiento es un componente fundamental para las aplicaciones electrónicas modernas, diseñado pensando en una mayor eficiencia y fiabilidad. Las dimensiones de este encapsulado TO-247 incluyen una longitud de 15,87 mm, una anchura de 5,31 mm y una altura de 20,7 mm. Funciona eficazmente en diversos entornos y aporta un valor significativo en situaciones de gestión de la energía.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua nominal de 270 A para requisitos exigentes
• fuente de drenaje de 60 V para un uso versátil
• Disipación de potencia máxima de 375 W para un rendimiento sólido
• Capacidad de avalancha mejorada para una mayor protección del sistema
• El montaje con orificios pasantes garantiza una instalación sólida y fiable
Aplicaciones
• Utilizado en sistemas de rectificación síncrona de alta eficiencia
• Ideal para sistemas de alimentación ininterrumpida para garantizar la fiabilidad
• Eficaz en la conmutación de potencia a alta velocidad
• Adecuado para circuitos de alta frecuencia y de conmutación dura
¿Qué rendimiento térmico cabe esperar en condiciones de funcionamiento continuo?
Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, soporta con fiabilidad elevadas cargas térmicas, mientras que la resistencia térmica de la unión a la carcasa favorece una disipación eficaz del calor.
¿Cómo contribuye la tensión umbral de puerta a su rendimiento en los circuitos?
Presenta una tensión umbral de puerta máxima de 4 V, lo que garantiza que las señales de control activen el MOSFET con eficacia, proporcionando sinergia con circuitos de control de menor tensión.
¿Qué implicaciones tiene la baja Rds(on) para la eficiencia del circuito?
Una baja resistencia de encendido de 2,5mΩ reduce significativamente las pérdidas de energía, mejorando la eficiencia general del circuito, especialmente en aplicaciones de alto consumo, lo que se traduce en una menor generación de calor y una mayor sostenibilidad del rendimiento.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines