MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
260-5861
Nº ref. fabric.:
IRFB3006PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

270A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de infrarrojos de canal N simple de Infineon admite diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Encapsulado con capacidad de transporte de alta corriente

Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia

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