MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTH110N25T, VDSS 250 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 125-8047
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-421
- Nº ref. fabric.:
- IXTH110N25T
- Fabricante:
- IXYS
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
8,17 €
(exc. IVA)
9,89 €
(inc.IVA)
Añade 12 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 11 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 8,17 € |
| 5 - 9 | 7,52 € |
| 10 - 24 | 7,07 € |
| 25 - 49 | 6,09 € |
| 50 + | 5,83 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 125-8047
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-421
- Nº ref. fabric.:
- IXTH110N25T
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | Trench | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 157nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 694W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 21.46mm | |
| Anchura | 5.3 mm | |
| Longitud | 16.26mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie Trench | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 157nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 694W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 21.46mm | ||
Anchura 5.3 mm | ||
Longitud 16.26mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia Trench-Gate de canal N, IXYS
Tecnología MOSFET Trench Gate
Nivel bajo de resistencia RDS(on)
Resistencia de avalancha superior
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines