MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 250 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
168-4583
Nº ref. fabric.:
IXTH110N25T
Fabricante:
IXYS
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

TO-247

Serie

Trench

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

694W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

21.46mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.26mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Trench-Gate de canal N, IXYS


Tecnología MOSFET Trench Gate

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