MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
168-4469
Nº ref. fabric.:
IXFH110N10P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HiperFET, Polar

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

480W

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

110nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.3mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.26mm

Altura

21.46mm

Estándar de automoción

No

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