MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37.9 A, Mejora, TO-220 de 4 pines

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Código RS:
130-0924
Nº ref. fabric.:
IPP60R099P6XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

37.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS P6

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.36mm

Altura

15.95mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.57 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie P6, corriente de drenaje continua máxima de 37,9 A, disipación de potencia máxima de 278 W - IPP60R099P6XKSA1


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento que necesitan una gestión eficiente de la energía. Con una corriente de drenaje continua máxima de 37,9 A y una tensión nominal de drenaje-fuente de 650 V, destaca en los sectores de la automatización y la electrónica. Su configuración de canal N en modo de mejora permite una capacidad de conmutación eficaz, lo que la convierte en la opción preferida de los profesionales de las industrias eléctrica y mecánica.

Características y ventajas


• El bajo RDS(on) de 99mΩ mejora la eficiencia de conmutación

• Puede disipar hasta 278 W para una mayor durabilidad

• Funciona bien a altas temperaturas de hasta +150°C

• La protección ESD superior a 2 kV garantiza un funcionamiento fiable

• Adecuado para aplicaciones de conmutación dura y suave

• Envasado en TO-220 para opciones de montaje flexibles

Aplicaciones


• Se utiliza en etapas PFC para una conversión de potencia eficiente

• Aplicable en etapas PWM de conmutación dura para aumentar el rendimiento

• Ideal para etapas de conmutación resonante en diversos productos electrónicos

• Utilizado en adaptadores y fuentes de alimentación para aparatos electrónicos

• Eficaz en sistemas de automatización industrial que exigen gran potencia

¿Cuál es el rango de tensión puerta-fuente adecuado para el funcionamiento?


El rango de tensión puerta-fuente adecuado para el funcionamiento es de -30 V a +30 V, lo que garantiza una conmutación segura y eficaz.

¿Cómo beneficia el bajo valor de RDS(on) a la eficiencia energética?


La baja resistencia mejora la eficiencia energética al reducir las pérdidas por conducción, lo que disminuye la generación de calor durante el funcionamiento.

¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de energía durante el uso?


La capacidad máxima de disipación de energía durante el funcionamiento es de 278 W, lo que permite un rendimiento sólido en condiciones difíciles.

¿Hay alguna consideración especial para utilizar este componente en configuraciones en paralelo?


Si se utilizan en paralelo, es aconsejable utilizar perlas de ferrita en la puerta o tótems separados para optimizar el rendimiento y minimizar las oscilaciones.

¿Qué prácticas de gestión térmica deben aplicarse?


Las prácticas eficaces de gestión térmica incluyen un disipador térmico adecuado y la supervisión de la temperatura durante el funcionamiento para mantener el rendimiento dentro de los límites especificados.

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