MOSFET Infineon IPA60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 FP de 3 pines
- Código RS:
- 222-4639
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R099P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (En un Tubo de 50)
3,016 €
(exc. IVA)
3,649 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,016 € | 150,80 € |
| 100 - 200 | 2,865 € | 143,25 € |
| 250 + | 2,684 € | 134,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4639
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R099P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie MOS™ P6 de Cool combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.
Mayor resistencia de mosfet dv/dt
Pérdidas extremadamente bajas debido a la muy baja FOM Rdson*QG y Eoss
Resistencia a conmutación muy alta
Compuesto moldeado sin halógenos chapado sin plomo
Pérdidas extremadamente bajas debido a la muy baja FOM Rdson*QG y Eoss
Resistencia a conmutación muy alta
Compuesto moldeado sin halógenos chapado sin plomo
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 37,9 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 FP |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.099 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Silicio |
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