MOSFET Infineon IRFHM9391TRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, PQFN de 8 pines

Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

PQFN

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2,6 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Ancho

3.2mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

32 nC a 10 V

Altura

0.8mm

Serie

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V