MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3.6 A, PQFN

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Código RS:
257-9446
Nº ref. fabric.:
IRLHS6376TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

4.9W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRLHS de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de canal N doble de 30 V en un encapsulado PQFN 2x2. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

RDS bajo (encendido) en un encapsulado pequeño

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