MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLHS6376TRPBF, VDSS 30 V, ID 3.6 A, PQFN
- Código RS:
- 257-9447
- Nº ref. fabric.:
- IRLHS6376TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,336 € | 3,36 € |
| 100 - 240 | 0,319 € | 3,19 € |
| 250 - 490 | 0,285 € | 2,85 € |
| 500 - 990 | 0,202 € | 2,02 € |
| 1000 + | 0,179 € | 1,79 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9447
- Nº ref. fabric.:
- IRLHS6376TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.9W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.9W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRLHS de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de canal N doble de 30 V en un encapsulado PQFN 2x2. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
RDS bajo (encendido) en un encapsulado pequeño