MOSFET, N-Canal Infineon IRLHS6376TRPBF, VDSS 30 V, ID 7.60 A, Mejora, PQFN
- Código RS:
- 257-9447
- Nº ref. fabric.:
- IRLHS6376TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9447
- Nº ref. fabric.:
- IRLHS6376TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 63mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.9W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 63mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.9W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 7,60 A - IRLHS6376TRPBF
Características y ventajas:
• El VDS de 30 V permite aplicaciones de conmutación de potencia de baja tensión
• La corriente de drenaje continua de 7.60 A admite un suministro de carga sostenido
• La carga de puerta típica de 2,8 nC permite un rendimiento de conmutación de alta velocidad
• La disipación de potencia de 4,9 W gestiona la carga térmica dentro de los límites
Aplicaciones
• Ideal para etapas de conmutación secundarias de fuente de alimentación
• Se utiliza para tareas de gestión de baterías y conversión dc-dc
• Puede utilizarse para telecomunicaciones y conmutación de control industrial
• Adecuado para módulos de alimentación de consumo gestionados por calor
