MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 22 A, Mejora, PQFN

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Código RS:
257-9444
Nº ref. fabric.:
IRLHS6242TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.70mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Disipación de potencia máxima Pd

9.6W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 22 A - IRLHS6242TRPBF


Este MOSFET es un dispositivo de canal N de modo de mejora de orificio pasante diseñado para tareas de conmutación y control de potencia. Funciona en un amplio rango ambiente y es adecuado para entornos donde se requiere un encapsulado compacto y una corriente continua apreciable. Los principales límites eléctricos y características térmicas permiten la integración en conjuntos que requieren un accionamiento de puerta controlado y una disipación de potencia moderada.

Características y ventajas:


• La baja resistencia de conducción proporciona pérdidas de conducción reducidas
• La alta corriente continua soporta corrientes de carga más pesadas
• La carga de puerta moderada permite una conmutación razonablemente rápida
• Amplio rango de temperaturas de funcionamiento compatible con entornos exigentes
• La tensión nominal de puerta controlada protege contra sobretensión de accionamiento

Aplicaciones


• Adecuado para conmutación dc de tensión media y control de carga
• Ideal para componentes de etapa de potencia en suministros industriales
• Se utiliza con circuitos de accionamiento por motor que requieren una capacidad de 22 A
• Puede utilizarse para sistemas de protección y gestión de baterías
• Adecuado para convertidores de potencia compactos en encapsulados PQFN

¿Qué rendimiento térmico debe esperarse bajo carga?


Disipa hasta 9,6 W, por lo que se requiere una gestión térmica como disipación térmica o flujo de aire para mantener las temperaturas de unión.

¿Qué límites de accionamiento de puerta deben respetarse durante el diseño?


La tensión de fuente de puerta no debe exceder los 12 V para evitar sobretensiones en la estructura de puerta de entrada.

¿Cómo se comporta el dispositivo a temperaturas extremas?


Está especificado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en aplicaciones con amplias variaciones de temperatura ambiente.

¿Cuáles son las características de conmutación relevantes para el diseño de transitorios?


La carga de puerta total típica es de 14 nC en condiciones de accionamiento de puerta nominales, lo que informa sobre el tamaño del accionamiento de puerta y los cálculos de pérdida de conmutación.

¿Este dispositivo cumple las directivas ambientales habituales?


Cumple los criterios RoHS, lo que indica la ausencia de sustancias peligrosas restringidas en su estructura.

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