MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLS3034TRLPBF, VDSS 40 V, ID 343 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
130-1025
Nº ref. fabric.:
IRLS3034TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

343A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.65mm

Longitud

10.67mm

Anchura

4.83 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


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