MOSFET, N-Canal Vishay SUM90220E-GE3, VDSS 200 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 134-9167
- Nº ref. fabric.:
- SUM90220E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
955,20 €
(exc. IVA)
1.156,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 800 unidad(es) más para enviar a partir del 07 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,194 € | 955,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 134-9167
- Nº ref. fabric.:
- SUM90220E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SUM90220E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Altura | 4.82mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SUM90220E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.41mm | ||
Altura 4.82mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-220 de 4 pines