Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C604NLAFT1G, VDSS 60 V, ID 287 A, Mejora, DFN de 4 pines

Código RS:: 141-3193
Nº ref. fabric.:: NVMFS5C604NLAFT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C604NLAFT1G, VDSS 60 V, ID 287 A, Mejora, DFN de 4 pines

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Código RS:: 141-3193
Nº ref. fabric.:: NVMFS5C604NLAFT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	287A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	DFN
	Serie	NVMFS5C604NL
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.2mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	120nC
	Disipación de potencia máxima Pd	200W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	1.05mm
	Longitud	5.1mm
	Certificaciones y estándares	RoHS, Pb-Free
	Anchura	6.1 mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 287A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado DFN
	Serie NVMFS5C604NL
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 120nC
	Disipación de potencia máxima Pd 200W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 1.05mm
	Longitud 5.1mm
	Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free
	Anchura 6.1 mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C604NLAFT1G, VDSS 60 V, ID 287 A, Mejora, DFN de 4 pines

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