MOSFET, N-Canal onsemi NVMFS5C604NLAFT1G, VDSS 60 V, ID 287 A, Mejora, DFN de 4 pines

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Código RS:
141-3193
Nº ref. fabric.:
NVMFS5C604NLAFT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

287A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

NVMFS5C604NL

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

120nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

RoHS, Pb-Free

Anchura

6.1mm

Longitud

5.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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