MOSFET onsemi HUF76423P3, VDSS 60 V, ID 33 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 145-5464
- Nº ref. fabric.:
- HUF76423P3
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 03/10/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 50)
1,108 €
(exc. IVA)
1,341 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 50 - 50 | 1,108 € | 55,40 € |
| 100 + | 1,041 € | 52,05 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 145-5464
- Nº ref. fabric.:
- HUF76423P3
- Fabricante:
- onsemi
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 33 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Serie | UltraFET |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 38 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 85 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
| Ancho | 4.7mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 28 nC a 10 V |
| Longitud | 10.67mm |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 16.3mm |
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