MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 145-8608
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4020PBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
55,35 €
(exc. IVA)
66,95 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 400 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,107 € | 55,35 € |
| 100 - 200 | 0,896 € | 44,80 € |
| 250 - 450 | 0,841 € | 42,05 € |
| 500 - 950 | 0,786 € | 39,30 € |
| 1000 + | 0,719 € | 35,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-8608
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4020PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.82mm | |
| Altura | 9.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.66mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.82mm | ||
Altura 9.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 200 V, corriente de drenaje continua máxima de 18 A - IRFB4020PBF
Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente donde se requiere una resistencia térmica robusta. Funciona como dispositivo de mejora de canal N en un encapsulado TO-220 de orificio pasante, lo que proporciona una solución práctica para etapas de potencia discretas y circuitos de conmutación montados en placa en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 200 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 18 A admite corrientes de carga sustanciales
• La disipación de potencia de 100 W permite un manejo de potencia elevado
• La Rds(on) de 100 mΩ minimiza las pérdidas por conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 18 nC proporciona transiciones de conmutación más rápidas
• La tensión directa de 1,3 V reduce la caída de conducción del diodo durante la recuperación
• La corriente de drenaje continua de 18 A admite corrientes de carga sustanciales
• La disipación de potencia de 100 W permite un manejo de potencia elevado
• La Rds(on) de 100 mΩ minimiza las pérdidas por conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 18 nC proporciona transiciones de conmutación más rápidas
• La tensión directa de 1,3 V reduce la caída de conducción del diodo durante la recuperación
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de medio puente de accionamiento por motor
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado fuera de línea
• Se utiliza con convertidores de potencia que requieren montaje en orificio pasante
• Se puede utilizar para controladores de relé y solenoide de alta tensión
• Adecuado para prototipos de laboratorio y experimentos de alimentación de banco
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado fuera de línea
• Se utiliza con convertidores de potencia que requieren montaje en orificio pasante
• Se puede utilizar para controladores de relé y solenoide de alta tensión
• Adecuado para prototipos de laboratorio y experimentos de alimentación de banco
¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores para un funcionamiento seguro?
La tensión de fuente de puerta no debe superar ±20 V para evitar dañar el óxido de puerta y mantener un comportamiento de conmutación fiable.
¿Cómo se comporta el dispositivo en temperaturas extremas?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 175 °C, lo que permite su uso en entornos con una amplia variación térmica al tiempo que mantiene las características eléctricas especificadas.
¿Qué consideraciones sobre el encapsulado afectan a la disposición y la refrigeración de la placa de circuito impreso?
El factor de forma de orificio pasante TO-220 proporciona una sola lengüeta de montaje aislada y permite la fijación directa a un disipador o chasis para mejorar la gestión térmica.
¿Cómo influye el diodo de cuerpo en la elección de la topología de conmutación?
El diodo intrínseco con una caída hacia delante de 1,3 V debe tenerse en cuenta en diseños con eventos de recuperación inversa para gestionar la disipación y determinar los requisitos de amortiguación.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 18 A PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPAN60R180P7SXKSA1 ID 18 A PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-220 de 3 pines