MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 65 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 913-3932
Nº ref. fabric.:: IRFB4227PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 65 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	2,162 €	108,10 €
100 - 200	1,989 €	99,45 €
250 +	1,881 €	94,05 €

*precio indicativo

Código RS:: 913-3932
Nº ref. fabric.:: IRFB4227PBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	65A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	200V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	24mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Tensión directa Vf	1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	70nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Disipación de potencia máxima Pd	330W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	9.02mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.82 mm
	Longitud	10.66mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 65A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Tensión directa Vf 1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Disipación de potencia máxima Pd 330W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 9.02mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.82 mm
	Longitud 10.66mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

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