MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 26 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
262-6756
Nº ref. fabric.:
IRFI4227PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.036Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de paso y recuperación de energía sostenida en paneles de display de plasma. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio y un bajo valor nominal de EPULSE.

Temperatura de conexión de funcionamiento de 150 grados centígrados

Alta capacidad de corriente de pico repetitiva

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