MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R120P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 26 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

12,66 €

(exc. IVA)

15,32 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 475 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 202,532 €12,66 €
25 - 452,152 €10,76 €
50 - 1202,00 €10,00 €
125 - 2451,874 €9,37 €
250 +1,72 €8,60 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4929
Nº ref. fabric.:
IPP60R120P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

IPP60R

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

95W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.45mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.57 mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

Infineon 600V CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)

Resistencia de puerta R G integrada

Diodo de cuerpo resistente

Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante

Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial

Enlaces relacionados