MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 26 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

1.176,00 €

(exc. IVA)

1.423,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +1,176 €1.176,00 €

*precio indicativo

Código RS:
214-4367
Nº ref. fabric.:
IPB60R120P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

95W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.27 mm

Longitud

10.02mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Dispone de diodo de cuerpo resistente

RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET

Enlaces relacionados