MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
222-4890
Nº ref. fabric.:
IPB60R090CFD7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IPB60R

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPB60R090CFD7 en encapsulado D2PAK es ideal para topologías resonantes en SMPS de alta potencia, como estaciones de carga de servidor, telecomunicaciones y EV, donde permite mejoras de eficiencia significativas. Como sucesor de la familia MOSFET CFD2 SJ, se suministra con carga de puerta reducida, comportamiento de desconexión mejorado y hasta un 69 % menos de carga de recuperación inversa en comparación con la competencia.

Diodo de cuerpo ultrarrápido

La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase

Diodo inverso dv/dt y resistencia dif/dt mejorados

FOM RDS(on) x QG y EOSS más bajos

Las mejores combinaciones RDS(on)/package de su clase

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