MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R090CFD7ATMA1, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4891
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R090CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,345 € | 8,69 € |
| 10 - 18 | 3,65 € | 7,30 € |
| 20 - 48 | 3,43 € | 6,86 € |
| 50 - 98 | 3,175 € | 6,35 € |
| 100 + | 2,95 € | 5,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4891
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R090CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPB60R | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPB60R | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPB60R090CFD7 en encapsulado D2PAK es ideal para topologías resonantes en SMPS de alta potencia, como estaciones de carga de servidor, telecomunicaciones y EV, donde permite mejoras de eficiencia significativas. Como sucesor de la familia MOSFET CFD2 SJ, se suministra con carga de puerta reducida, comportamiento de desconexión mejorado y hasta un 69 % menos de carga de recuperación inversa en comparación con la competencia.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Diodo inverso dv/dt y resistencia dif/dt mejorados
FOM RDS(on) x QG y EOSS más bajos
Las mejores combinaciones RDS(on)/package de su clase
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