MOSFET Infineon IPB60R180P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 222-4894
Nº ref. fabric.:: IPB60R180P7ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB60R180P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

995 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

1,078 €

(exc. IVA)

1,304 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	1,078 €	1.078,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 222-4894
Nº ref. fabric.:: IPB60R180P7ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPB60R180P7ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 SuperJunction (SJ) 600V es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta R G integrada
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	CoolMOS™ P7
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	180 m.Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si

MOSFET Infineon IPB60R180P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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