MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5658
- Nº ref. fabric.:
- IRF640NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5658
- Nº ref. fabric.:
- IRF640NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 67nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 150 W - IRF640NSTRLPBF
Este MOSFET es esencial para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones, controlando el flujo de corriente eléctrica en los circuitos para garantizar el rendimiento y la fiabilidad. Sus robustas especificaciones lo hacen especialmente adecuado para la automatización y los sistemas electrónicos de la electrónica contemporánea.
Características y ventajas
• La configuración de canal N admite el funcionamiento en modo de mejora
• Corriente de drenaje continua máxima de 18 A
• Tensión pico de drenaje-fuente de 200 V para diversas aplicaciones
• Encapsulado D2PAK diseñado para montaje en superficie
• La baja Rds(on) de 150mΩ reduce la pérdida de energía durante el funcionamiento
• Alta temperatura máxima de funcionamiento de +175°C para diversos entornos
Aplicaciones
• Gestión de la energía en la electrónica del automóvil
• Fuentes de alimentación industriales para sistemas de automatización
• Control del motor en diferentes sectores
• Sistemas de energías renovables para la conversión de energía
• Diseños de inversores de alta frecuencia
¿Cuál es la tensión de drenaje-fuente máxima?
La tensión nominal máxima de drenaje-fuente es de 200 V, lo que proporciona flexibilidad para aplicaciones de alta tensión.
¿Cómo se gestiona la disipación del calor durante el funcionamiento?
Este MOSFET ofrece una capacidad de disipación de potencia de 150 W, y el diseño de su encapsulado favorece la gestión eficaz del calor bajo cargas elevadas.
¿Qué implicaciones tiene el rango de tensión umbral de puerta?
Con una tensión umbral de puerta máxima de 4 V y mínima de 2 V, ofrece a los ingenieros una gama versátil para aplicaciones de conmutación.
¿Puede utilizarse este componente en configuraciones paralelas?
Sí, se puede poner en paralelo fácilmente debido a su baja resistencia a la conexión, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta corriente.
¿Cómo debe soldarse para obtener un rendimiento óptimo?
La temperatura de soldadura no debe superar los 300°C durante 10 segundos para garantizar una instalación correcta sin dañar el MOSFET.
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