MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-5658
Nº ref. fabric.:
IRF640NSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

67nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.65 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 150 W - IRF640NSTRLPBF


Este MOSFET es esencial para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones, controlando el flujo de corriente eléctrica en los circuitos para garantizar el rendimiento y la fiabilidad. Sus robustas especificaciones lo hacen especialmente adecuado para la automatización y los sistemas electrónicos de la electrónica contemporánea.

Características y ventajas


• La configuración de canal N admite el funcionamiento en modo de mejora

• Corriente de drenaje continua máxima de 18 A

• Tensión pico de drenaje-fuente de 200 V para diversas aplicaciones

• Encapsulado D2PAK diseñado para montaje en superficie

• La baja Rds(on) de 150mΩ reduce la pérdida de energía durante el funcionamiento

• Alta temperatura máxima de funcionamiento de +175°C para diversos entornos

Aplicaciones


• Gestión de la energía en la electrónica del automóvil

• Fuentes de alimentación industriales para sistemas de automatización

• Control del motor en diferentes sectores

• Sistemas de energías renovables para la conversión de energía

• Diseños de inversores de alta frecuencia

¿Cuál es la tensión de drenaje-fuente máxima?


La tensión nominal máxima de drenaje-fuente es de 200 V, lo que proporciona flexibilidad para aplicaciones de alta tensión.

¿Cómo se gestiona la disipación del calor durante el funcionamiento?


Este MOSFET ofrece una capacidad de disipación de potencia de 150 W, y el diseño de su encapsulado favorece la gestión eficaz del calor bajo cargas elevadas.

¿Qué implicaciones tiene el rango de tensión umbral de puerta?


Con una tensión umbral de puerta máxima de 4 V y mínima de 2 V, ofrece a los ingenieros una gama versátil para aplicaciones de conmutación.

¿Puede utilizarse este componente en configuraciones paralelas?


Sí, se puede poner en paralelo fácilmente debido a su baja resistencia a la conexión, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta corriente.

¿Cómo debe soldarse para obtener un rendimiento óptimo?


La temperatura de soldadura no debe superar los 300°C durante 10 segundos para garantizar una instalación correcta sin dañar el MOSFET.

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