MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 168-6013
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4020TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 168-6013
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4020TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 105mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 105mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 100 W - IRFS4020TRLPBF
Este MOSFET está diseñado para un rendimiento optimizado en aplicaciones de amplificadores de audio de clase D. Las avanzadas técnicas de procesamiento reducen la resistencia a la conexión y mejoran la eficiencia, la distorsión armónica total (THD) y las interferencias electromagnéticas (EMI). Puede funcionar eficazmente a temperaturas elevadas, por lo que es adecuado para diversos entornos.
Características y ventajas
• Diseñado para amplificación de audio de clase D de alta eficiencia
• La baja Rds(on) mejora la eficiencia general
• Temperatura de unión operativa de hasta 175°C que garantiza su robustez
• La capacidad de avalancha repetitiva protege contra los picos de tensión
Aplicaciones
• Se utiliza en amplificadores de audio de clase D para mejorar la calidad del sonido
• Ideal para alimentación de alta corriente
• Adecuado para equipos de audio profesionales y de consumo
• Empleado en sistemas de audio de alto rendimiento para automóviles
¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima?
El dispositivo puede manejar una corriente de drenaje continua máxima de 18 A a 25 °C.
¿Este aparato puede funcionar a altas temperaturas?
Sí, está diseñado para funcionar eficazmente a temperaturas de hasta 175 °C.
¿En qué configuraciones puede utilizarse?
Es adecuado para configuraciones de medio puente en amplificadores de audio, proporcionando potencias significativas.
¿Cómo afecta al rendimiento una carga de puerta baja?
La baja carga de puerta aumenta la eficiencia y reduce el tiempo de encendido, mejorando así el rendimiento general del amplificador.
¿Es compatible con la tecnología de montaje en superficie?
Sí, este dispositivo está empaquetado en un factor de forma D2PAK, que es ideal para aplicaciones de montaje en superficie.
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