MOSFET Infineon IPB60R180P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
- Código RS:
- 222-4895
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R180P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
995 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
2,378 €
(exc. IVA)
2,877 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,378 € | 11,89 € |
| 50 - 120 | 2,116 € | 10,58 € |
| 125 - 245 | 1,974 € | 9,87 € |
| 250 - 495 | 1,83 € | 9,15 € |
| 500 + | 1,712 € | 8,56 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4895
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R180P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 SuperJunction (SJ) 600V es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta R G integrada
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Resistencia de puerta R G integrada
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 18 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 180 m.Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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