MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R120P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 26 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
214-4368
Nº ref. fabric.:
IPB60R120P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Disipación de potencia máxima Pd

95W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.5mm

Longitud

10.02mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Dispone de diodo de cuerpo resistente

RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET

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