MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

601,00 €

(exc. IVA)

727,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 - 10000,601 €601,00 €
2000 +0,571 €571,00 €

*precio indicativo

Código RS:
214-4371
Nº ref. fabric.:
IPB60R360P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

41W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.02mm

Anchura

9.27 mm

Altura

4.5mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Dispone de diodo de cuerpo resistente

RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET

Enlaces relacionados